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Ф3mm 300-1000nm 硅雪崩光電二極管 355nm紫外增強
產(chǎn)品概述：Ф3mm超大靶面，300-1000nm響應范圍，355nm紫外增強，硅基雪崩光電探測器；適合用于熒光探測，超弱光探測等應用場景。
產(chǎn)品型號：GY-Si-APD-3000-TO5
技術支持：黃工 13427781756 (微信同號，可掃碼）
Email: huangqianyuan@glgyzn.com
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產(chǎn)品介紹
1. 概述
Ф3mm355nm硅雪崩光電二極管是一種高性能的光電探測器件，設計用于探測紫外到可見光范圍內的光信號，特別是355納米波長的激光。
2. 應用
- 正照平面型芯片結構
- 高響應性
- 高增益
- 低結電容
- 低噪聲
3. 光電性能（@Ta=22+3℃）
| 特性參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小 | 典型 | 最大 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 光譜響應范圍 | λ | —— | 300~1000 | nm | ||
| 光敏面直徑 | φ | —— | 300 | μm | ||
| 響應度 | Re | λ=355nm, φ=1μw, VR=10V | —— | 0.22 | —— | A/W |
| λ=355nm, φ=1μw, VR=80V | —— | 6. 75 | —— | |||
| 暗電流 | ID | VR=0.9VBR | —— | 15 | 50 | nA |
| 總電容 | Ctot | VR=0.9VBR, f=1MHz | —— | 50 | —— | pF |
| 反向擊穿電壓 | VBR | IR=10μA | 80 | —— | 200 | V |
| 工作電壓溫度系數(shù) | δ | TC=-40℃~85℃ | —— | 0.4 | —— | V/℃ |
4. 典型特性曲線(@Ta=25℃)
5、 封裝形式和管腳定義
客戶名錄
- 西北工業(yè)大學
- 南京大學
- 東南大學
- 廈門大學
- 北京交通大學
- 廣東工業(yè)大學
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