< >

1mm 950-1700nm APD雪崩光電探測 TO46封裝裸片

產(chǎn)品概述：

光敏直徑為1000um的APD雪崩光電探測器芯片，相應波長950-1700nm，默認采用TO46封裝，適合用于激光雷達，弱光探測等場景。

關鍵詞： 1000um APD APD探測芯片 APD雪崩光電探測器 APD裸片 800-1700nm

產(chǎn)品型號：GY-APD-1000-TO46

規(guī)格書： 點擊下載

技術支持：黃工 13427781756 (微信同號，可掃碼）

Email: huangqianyuan@glgyzn.com

由于產(chǎn)品的規(guī)格型號參數(shù)太多，所以頁面上沒有您要找的參數(shù)，并不代表我們沒有相應的產(chǎn)品；添加微信，直接問吧這樣更高效！

產(chǎn)品介紹

特性參數(shù) Parameter	符號 Symbol	測試條件 Test Condition	最小 Min.	典型 Typ.	最大 Max.	單位 Unit
Active Area	Φ			1000		um
光譜響應范圍 Response Spectrum	λ	——	950 ~ 1700			nm
響應度 Responsivity	Re	λ=1550nm Pin=1 μW, M=1	0.70	——	——	A/W
倍增因子 Multiplication factor	M	λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-3	10.00	——	——	——
倍增因子 Multiplication factor	M	λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-2	20.00	——	——	——
倍增因子 Multiplication factor	M	λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-1	30.00	——	——	——
暗電流 Dark Current	Id	VR=VBR-3, Pin=0μW	——	80.00	150.00	nA
-3dB 截止頻率 -3dB cut-off frequency	BW	M=10 RL=50Ω	0.09	0.25	——	GHz
反向擊穿電壓 Reverse Breakdown Voltage	VBR	IR =10μA, Pin=0μW	40.00	——	60.00	V
電容 Capacitance	C	VR=VBR-3, f=1MHz	——	20.00	30.00	pF
擊穿電壓溫度系數(shù) Temperature coefficient of VBR	γ	R=10μA, Pin=0μW -55℃～+85℃	0.12	0.15	0.18	V/℃